UV Litho-ABN Master有掩膜光刻机

一、产品概述
         

           UV Litho-ABN Master有掩膜光刻机采用高稳定性的紫外光源及先进光学系统，具备精准的掩膜与样品对准功能，实现微米及亚微米级图案的高保真转印。该设备支持多种曝光模式，包括接触式和近接式曝光，适配多尺寸衬底，兼容多种光刻胶，满足科研及中小批量半导体制造、微机电系统（ MEMS）和光电子器件等领域的需求。系统具有人性化操作界面与自动化控制模块，确保曝光过程稳定高效，提升产品良率和重复性。

技术参数

1.光源类型：高强度汞灯/ 365nm i-line / LED（可选405nm）

光强稳定性：±2%

光强密度：≥50 mW/cm²（在样品面）

光照均匀性：≥90%

2. 光学系统

光学设计：准直透镜+ 均匀化系统+ 曝光物镜（投影型或接触型）

光学分辨率：≤2 μm（接触式），≤5 μm（近接式）

投影倍率：1:1（等倍）

光学调整方式：支持X-Y微调、Z轴聚焦、掩膜旋转校正 

3.曝光系统

曝光面积：25 mm × 25 mm（可定制更大）

曝光方式：接触式 / 近接式（支持切换）

曝光时间控制：0.01 s–60 s，步进≤0.01 s

掩膜类型：标准玻璃掩膜（厚度约1 mm）

对位系统：高倍率CCD成像对位（支持十字线、图像叠加）

对位精度：≤2 μm

4.运动平台

台面尺寸：100 mm × 100 mm

X/Y/Z 行程：50 mm / 50 mm / ±5 mm（Z轴用于调焦）

平台重复精度：≤1 μm（带高精度滑轨或导轨+电动模组） 

5.控制系统

控制方式：软件控制 + 触摸屏控制（支持参数设定与手动操作）

通信接口：USB / RS232 / Ethernet（选配）

曝光参数设定：光强、曝光时间、开关顺序可调 

6.机械结构

设备尺寸：≈600 mm × 450 mm × 400 mm

外壳材质：阳极氧化铝合金 / 钣金喷塑

观察窗：UV防护亚克力透明窗 

7.电气与环境

电源要求：AC 220V / 50Hz / 300W 以内

工作环境：温度20–25℃，湿度＜60%，

洁净环境推荐安全措施：UV防护、急停开关、操作权限设置

8.可选模块

掩膜自动更换装置：支持自动掩膜更换模块（选配） 

自动对位系统：自动识别对位标记、图像处理辅助对准

真空吸附平台：用于样品固定，提高接触质量

伺服电控平台：高速高精对位控制（纳米级精度）

示例：MEMS压力传感器结构光刻
— 基片：4英寸硅片
— 最小线宽：2 μm
— 应用：MEMS传感器批量制备

示例二：光学微结构阵列
— 基片：石英玻璃
— 图形类型：光栅/微透镜阵列
— 应用：光学调制与成像系统

二、功能特点

1. 高精度掩膜对准系统：支持X/Y/θ多维精密对准，具备显微对准与亚微米级重复定位能力；

2. 多种曝光模式：支持接触式、近接式及投影式曝光，适应不同分辨率与工艺需求；

3. 稳定均匀的曝光光源：采用高稳定UV LED或汞灯光源，配合匀光系统，保证曝光能量一致性；

4. 多尺寸基片兼容：支持2~6英寸硅片、玻璃、石英及柔性基片；

5. 自动曝光与时间控制：曝光时间、强度、模式可编程设定，工艺重复性高；

6. 掩膜版快速更换结构：便于科研与小批量多工艺切换；

7. 友好的人机交互界面：触控屏或PC控制，支持工艺参数存储与调用；

8. 高安全性设计：具备门禁互锁、光源防护、异常报警与急停功能。

三、应用场景与领域

1. 半导体与集成电路：用于微电极、互连线、测试结构等光刻图形制备；

2. MEMS与微系统：应用于微悬臂梁、压力传感器、加速度计等结构加工；

3. 微流控与生物芯片：用于微通道、阵列结构及生物传感芯片制备；

4. 光电子与光学器件：适用于光栅、波导、微透镜阵列等光学结构光刻；

5. 新材料与二维材料研究：用于电极图形、器件结构定义与原型验证；

6. 教学与科研平台：满足高校实验教学与科研工艺开发需求。

四、技术优势

1. 图形转移精度高：可实现微米级甚至亚微米级曝光分辨率；

2. 对准精度稳定：重复对准精度高，适合多层光刻工艺；

3. 工艺兼容性强：适配多种光刻胶及基片材料；

4. 设备稳定可靠：结构刚性强，光学系统寿命长；

5. 自动化程度高：降低人为误差，提高实验与生产效率；

6. 可扩展性强：支持升级自动对准、自动上下片及洁净模块。

五、典型应用案例

表：有掩膜光刻机典型应用案例

说明：以上配置可根据用户实验需求进行定制调整。

设备原理图

设备外观图