一、产品概述
台式磁控溅射镀膜系统ABN-nanoPVD-S10A 是一种基于物理气相沉积（PVD）原理的高精度薄膜制备设备。其通过在真空腔体中引入惰性气体（通常为氩气），在电场与磁场的共同作用下形成高密度等离子体。等离子体中的离子加速轰击靶材，使靶材原子溅射并沉积在基片表面形成均匀致密的薄膜。磁场结构有效约束电子运动路径，提高电离效率，使系统在较低气压下仍能稳定运行。该设备结构紧凑、操作便捷，适合科研实验室与小规模工艺开发使用。
二、功能特点
1. 紧凑型台式结构设计：占地面积小，适合实验室环境部署；
2. 高稳定磁控溅射结构：等离子体分布均匀，成膜速率与质量稳定；
3. 多靶位可选配置：支持单靶或双靶切换，满足多材料沉积需求；
4. 多种电源模式兼容：支持直流（DC）与射频（RF）溅射工艺；
5. 精准气路与真空控制：配置质量流量控制器（MFC），工艺重复性好；
6. 样品台功能集成：支持旋转、加热与偏压，提升膜层均匀性；
7. 安全联锁与保护机制：具备水冷、真空、电源多重安全保护；
8. 模块化拓展能力：可扩展反应溅射、膜厚监控等功能模块。
三、应用场景与领域
1. 半导体与微电子研究：用于金属电极、阻挡层及互连层薄膜制备；
2. 光学与光电子领域：适用于反射膜、透明导电膜及功能光学膜层；
3. 新材料与纳米技术：支持二维材料、电极薄膜及功能薄膜研究；
4. 传感器与能源器件：用于气敏、电化学及储能器件薄膜制备；
5. 表面工程与功能涂层：适合耐磨膜、硬质膜及装饰膜工艺开发。
四、技术优势
1. 成膜质量高：膜层致密、附着力强；
2. 膜厚均匀性好：配合样品旋转设计，均匀性优异；
3. 工艺兼容性强：支持金属、氧化物、氮化物及复合膜系；
4. 低温沉积能力：适合温敏基片材料；
5. 工艺重复性好：自动化控制确保实验一致性；
6. 科研友好设计：参数调节灵活，适合工艺探索与验证。
五、技术参数
名称 规格
靶材类型 单靶配置，常见靶材：金属（如 Au、Cr、Ti）、氧化物（如 ITO、SiO₂）、氮化物
靶材尺寸 25.4 mm 或 50.8 mm
靶材功率 100 W 至 3 kW（取决于靶材类型和沉积要求）
真空腔体尺寸 直径 180 mm × 高 215 mm（适合桌面放置）
真空系统 分子泵（如 CY-600，600 L/s）+ 背压泵（如旋片泵，1.1 L/s）
极限真空度 1.0 × 10⁻⁵ Pa
基片台尺寸 直径 100 mm
基片加热 温度范围：室温至 500 ℃，温控精度 ±1 ℃
基片旋转 1–20 rpm 可调
气体系统 两路质量流量计（MFC），常用气体：氩气（Ar），可选氧气（O₂）或氮气（N₂）
冷却系统 水冷系统，流量 10 L/min，配套循环水冷机
电源配置 交流电源：AC 220V，50/60 Hz，最大功率 2 kW（包含真空泵和设备）
外形尺寸 500 mm × 350 mm × 400 mm（紧凑型，适合实验室台面）
重量 约 30 kg
设备使用场景图
设备原理图
