艾博纳微纳米科技（Abner） 自主研发的 UN-U150 150 kV 微焦点 X 射线源，面向高分辨率 X 射线成像、微结构无损检测及科研级材料表征应用。该产品采用高稳定电子光学设计与微焦点靶结构，在保证高穿透能力的同时，实现微米级空间分辨率，适用于 X-ray CT、微米/亚微米缺陷检测、半导体封装检测、材料内部结构分析 等高端应用场景。UN-U150 在结构可靠性、热稳定性与长期运行一致性方面进行了系统级优化，可作为 桌面式微焦点 CT 系统、在线检测系统及定制化 X 射线分析平台 的核心辐射源模块。
一、产品特点与优势
1. 150 kV 高电压平台，兼顾分辨率与穿透力
最高管电压 150 kV，适用于高密度材料及复杂结构样品；在保持微焦点尺寸的前提下，实现优异的成像对比度与信噪比；覆盖从低 Z 材料到中高 Z 合金、封装结构的多场景应用
2. 微焦点设计，支持高分辨率成像
采用精密电子束聚焦系统；焦点尺寸可达 微米级（μm 量级）；显著提升几何放大倍率下的空间分辨能力，适合微缺陷检测
3. 高稳定性电子光学系统
高压模块、灯丝供电与束流控制系统一体化设计；管电流波动小，长期运行重复性好；适合 CT 扫描等长时间连续工作场景
4. 高效散热与靶结构优化
靶材与散热结构协同设计；有效降低热漂移对焦点尺寸和束流稳定性的影响；提升 X 射线源寿命与运行可靠性
5. 模块化接口，系统集成友好
支持多种系统集成方式（CT、检测线、实验平台）；可与艾博纳自研 X 射线成像系统、精密运动平台深度适配；支持定制化接口与控制协议
二、典型应用领域
微焦点 X-ray CT 系统；半导体封装 / 芯片焊点 / TSV 检测；精密电子器件无损检测；金属与复合材料内部缺陷分析；科研级材料结构表征；新能源电池与微结构器件检测
三、技术参数（Technical Specifications）
1. X 射线管参数
| 参数项目 | 技术指标 |
|---|
| 型号 | UN-U150 |
| 管电压范围 | 30 – 150 kV |
| 最大管电流 | ≤ 500 μA（典型值，视焦点模式） |
| 最大输出功率 | ≤ 75 W（依工作模式） |
| 焦点类型 | 微焦点 |
| 最小焦点尺寸 | 微米级（μm 量级，典型 ≤ 5 μm） |
| 靶材 | 钨（W）或可选定制 |
| 靶角 | 优化设计（典型 10°–20°） |
2. 成像与稳定性指标
| 参数项目 | 技术指标 |
|---|
| 管电压稳定度 | ≤ ±0.1% |
| 管电流稳定度 | ≤ ±0.5% |
| 焦点漂移 | ≤ 数 μm（长期稳定运行） |
| 启动时间 | < 5 min（达到稳定工作状态） |
3. 冷却与结构
| 参数项目 | 技术指标 |
|---|
| 冷却方式 | 强制风冷 / 可选液冷 |
| 连续工作能力 | 支持长时间连续运行 |
| 防护结构 | 集成式 X 射线屏蔽设计 |
| 安全联锁 | 多重联锁保护（门禁 / 温控 / 高压） |
4. 电气与控制接口
| 参数项目 | 技术指标 |
|---|
| 高压电源 | 内置或外置一体化设计 |
| 控制方式 | 本地 / 远程控制 |
| 通讯接口 | Ethernet / RS-232（可定制） |
| 软件支持 | Windows 平台，支持二次开发 |
5. 安装与环境要求
| 参数项目 | 技术指标 |
|---|
| 工作环境温度 | 10 – 30 °C |
| 相对湿度 | ≤ 70%（无冷凝） |
| 安装方式 | 系统集成式 / 定制支架 |
| 符合标准 | GB / IEC X 射线安全相关标准 |
检测效果图：
