超高分辨率场发射扫描电子显微镜(Field Emission Scanning Electron Microscope,FE-SEM)是一种基于场发射电子枪的高端微纳结构表征设备。该设备通过高亮度、低能散的场发射电子源,结合先进的电子光学系统和高稳定度真空环境,实现对样品表面形貌、微观结构及成分分布的纳米级甚至亚纳米级成像。FE-SEM广泛应用于材料科学、半导体、生命科学及先进制造等领域,是现代科研与高端工业分析中不可或缺的核心仪器。
技术参数:
ABN-MAGNA 是一款功能极其强大的分析仪器 ,适用于纳米材料的形貌表征以及微观分析。 MAGNA 配置 Triglav™ 型 SEM 镜筒 ,具有超高分辨率、镜筒内探测器系统具有电子信号过滤能力 ,可以获得更好的图像对度和表面灵敏度 ,非常适用于不导电样品的成像、如陶瓷、无涂层生物样品 ,以及半导体光敏样品等。
MAGNA 配备肖特基场发射电子枪 ,能够提供高达 400 nA 的束流 ,结合 Triglav™
SEM 镜筒出色的纳米尺度分析性能和稳定性 ,为微分析和长耗时样品的分析应用提供了最佳条件。
强大的 Tritens™ 三物镜系统:
MAGNA 配备专利的 Triglav™ 型 SEM 镜筒 ,具有 Trilens™ 三物镜系统 ,适用领域更加多样化。
TriSE™ 和 TriBE™ 探测器系统:
MAGNA 配备最新一代 TriSE™ 和 TriBE™ 探测器系统 :包含三个二次电子探测器和三个背散射电子探测器 ,可以根据角度和能量的差异选择性地收集信号。
SE 分辨率 :0.6 nm @ 15 kV
BSE 分辨率: 1.6 nm @ 15 kV
探测器系统 ,可根据角度和能量的差异选择性地收集信号
电子束流高达 400 nA ,电压也可以快速改变 ,并保证在所有的分析应用下都能获得良好的信号
具有优异的低束流能量下检测能力 ,是表征表面无缝隙的生物样品的理想工具

1. 混有金纳米颗粒的黑硅,In-Beam SE 探测器成像。
2. TiO₂ 纳米管,in-column SE 探测器成像。
3. 碳纳米管(约 100 nm),分布有 1–7 nm 的金属纳米颗粒,STEM 成像后根据 STEM 不同类型信号进行上色的伪彩图。
4. 脑组织的突触,in-column BSE 探测器成像。
1. 超高空间分辨率成像:在低加速电压条件下仍可实现纳米及亚纳米级分辨能力。
2. 宽加速电压范围:支持低电压表面成像与高电压内部结构观察。
3. 多信号探测能力:支持二次电子、背散射电子等多种成像模式。
4. 稳定的电子束系统:场发射电子枪具备高亮度、高稳定性和长寿命特性。
5. 高真空与可扩展腔体设计:满足多样化样品测试需求。
6. 智能化操作界面:支持自动对焦、自动像散校正与图像拼接。
1. 材料科学:纳米材料、二维材料、复合材料及断口形貌分析。
2. 半导体与集成电路:晶圆缺陷检测、线宽测量、失效分析。
3. 生命科学:细胞、组织及生物支架的表面超微结构观察。
4. 能源与化工:催化剂微结构、电池电极材料形貌分析。
5. 工业制造:精密加工表面质量评估、微纳结构检测。
1. 场发射电子源优势:能量分布窄,信噪比高,显著提升成像清晰度。
2. 低电压高分辨能力:减少样品损伤,特别适合非导电或敏感样品。
3. 电子光学系统高度优化:有效降低像差,提高成像稳定性。
4. 系统稳定性强:适合长时间、高重复性的科研与检测任务。
5. 良好的系统扩展性:可集成能谱、样品台及多种原位附件。
类型 | 定位 | 特点 | 应用案例 |
UHR-FESEM-B(基础科研型) | 面向高校与科研院所的常规纳米结构表征,兼顾高分辨率与操作友好性 | · 场发射电子枪(Schottky 或冷场发射) · 低加速电压高分辨成像能力 · 二次电子(SE)成像为主 · 手动 / 半自动样品台 · 适合常规高真空样品 | · 二维材料(如石墨烯、过渡金属硫化物)表面形貌观察 · 纳米粉体、纳米线、纳米片尺寸与形貌统计 · 教学实验与基础科研结构验证 · 薄膜表面粗糙度与连续性分析 |
UHR-FESEM-A(分析增强型) | 适用于材料科学、半导体与能源研究,强调成像与成分分析的协同能力 | · 高稳定场发射电子枪 · 多探测器配置(SE + BSE) · 可扩展能谱(EDS)接口 · 五轴或六轴高精度样品台 · 支持长时间稳定成像与分析 | · 半导体晶圆表面缺陷与颗粒污染分析
· 金属/陶瓷复合材料界面与相分布研究
· 电池正负极材料微观结构与元素分布分析
· 催化剂颗粒尺寸、分散性与团聚状态表征 |
UHR-FESEM-P(高端性能型) | 面向高端科研与精密工业检测,强调极限分辨率与系统稳定性 | · 超高亮度场发射电子源 · 亚纳米级空间分辨能力 · 超高真空电子光学系统 · 高刚性、低漂移样品台 · 支持多种原位或联用拓展接口 | · 先进制程芯片线宽与结构完整性评估 · 纳米器件、微机电系统(MEMS)结构检测 · 原子级台阶、晶界与缺陷形貌分析 · 高端失效分析与精密质量检测 |
UHR-FESEM-LV(低电压/敏感样品型) | 专为非导电、生物或辐照敏感样品设计,突出低损伤、高对比成像 | · 超低加速电压稳定成像能力 · 优化的低电压电子光学系统 · 减少样品充电与热损伤 · 适合无需或少量喷金样品 | · 生物细胞、组织表面微结构观察 · 聚合物、软材料表面形貌分析 · 水凝胶、生物支架微孔结构表征 · 涂层、薄膜的低损伤表面检测 |
工作原理图

数据图



外观图


Company Address:
Huai'an (Headquarters): No. 7, Meigao Road, Qingpu Industrial Park, Qingjiangpu District, Huai'an City, Jiangsu Province
Suzhou: 4th Floor, Building D, China-Netherlands Innovation Harbor, No. 588 Xiangrong Road, Beihejing Sub-district, Xiangcheng District, Suzhou City, Jiangsu Province
Email:service@abner-nano.com
Contact Number: 13327968688 Mr. Yan

Add WeChat for more details.