一、产品概述
新一代超高分辨率场发射扫描电子显微镜（FE-SEM）是一款面向前沿科研与高端工业检测需求设计的精密电子显微成像设备。系统采用高亮度肖特基/冷场发射电子枪、高稳定性电子光学系统以及先进的信号探测与控制算法，在超高分辨率、低加速电压成像能力、样品适应性及系统稳定性等方面实现全面提升。该设备适用于纳米材料、半导体器件、生命科学及先进制造领域，为微纳结构表征提供可靠工具。
基本参数配置：
SE 分辨率 ：0.9 nm @ 15 kV,1.2 nm @ 1 kV
配置静电-电磁复合物镜 ，物镜无磁场外泄 ，可实现磁性样品超高分辨成像和分析新一代镜筒内电子加速、减速技术 ，保证复杂样品的低电压高分辨测
配置 4 个新一代探测器 ，可实现 9 种图像成测 ，样品信息采集更加全面
超过 20 个扩展接口 ，可配置多种分析附件 ，并独家实现 Raman 一体化集成
1.硅基底上的铂金颗粒。
2.陶瓷断裂表面，2 keV 成像。
3.在 Cyro 条件下观察到的真菌孢子。
4.用 TESCAN CL 探测器获得的石英晶体的 CL 图像。
二、功能特点
1. 超高分辨率成像：在高、低加速电压条件下均可实现亚纳米级分辨能力；
2. 低电压高对比成像：适合对非导电、软材料及生物样品进行原位观察；
3. 多信号同步采集：支持二次电子（SE）、背散射电子（BSE）等多通道成像；
4. 智能化操作平台：集成自动对焦、自动像散校正及参数优化功能；
5. 高稳定真空系统：多级真空设计，保证电子束长期稳定运行；
6. 样品兼容性强：支持多尺寸样品及倾斜、旋转载台配置。
三、应用场景与领域
• 纳米材料与二维材料研究：形貌、尺寸及缺陷分析；
• 半导体与集成电路：器件失效分析、线宽测量、工艺评估；
• 生命科学：细胞表面、组织超微结构观察（需前处理）；
• 新能源与储能材料：电极材料形貌与界面分析；
• 高端制造与失效分析：微结构断裂、疲劳及腐蚀研究。
四、技术优势
1. 高亮度场发射电子源：显著提升信噪比和空间分辨率；
2. 低像差电子光学设计：保证在宽电压范围内稳定成像；
3. 先进探测系统：提高低Z与高Z材料的成像对比度；
4. 优化的减震与抗干扰结构：适应普通实验室环境；
5. 模块化系统架构：便于功能扩展与后期升级；
6. 长时间稳定运行能力：适合高强度科研与工业检测需求。
五、典型型号与应用案例
类型 | 定位 | 特点 | 应用案例 |
FE-SEM Ultra S（标准科研型） | 面向高校与科研院所的基础与进阶微纳结构研究，强调高分辨率、稳定性与操作友好性，满足大多数材料与器件表征需求 | · 场发射电子枪（肖特基/冷场可选） · 常规二次电子（SE）探测系统 · 高稳定高真空电子光学系统 · 手动/半自动样品台 · 支持低加速电压成像 | · 二维材料、 纳米颗粒、 薄膜材料、 粉体、 微结构样品 |
FE-SEM Ultra A（先进分析型） | 面向材料科学与半导体研究的多功能分析型平台，兼顾形貌观察与成分/结构对比需求 | · 高亮度场发射电子源 · 二次电子（SE）+ 背散射电子（BSE）双探测系统 · 高精度五轴样品台（XYZ + 倾斜 + 旋转） · 低电压高对比成像优化 · 预留能谱（EDS）等分析接口 | · 半导体芯片、 复合材料、 金属/陶瓷材料、 多相结构样品 |
FE-SEM Ultra P（高端性能型） | 面向极限分辨率、低电压与复杂样品应用的高端型号，适用于前沿科研与高端失效分析 | · 冷场发射电子枪 · 亚纳米级高分辨成像能力 · 超低加速电压成像优化 · 多探测器同步采集（SE / BSE / In-lens） · 高稳定抗干扰结构设计 | · 超薄二维材料、 纳米线、 原位加工样品、 低导电与软材料 |
工作原理图
数据图
外观图
