一、产品概述
超高分辨率超高通量氙气等离子 FIB-SEM 是一款集高束流等离子聚焦离子束（Plasma FIB）与高分辨率扫描电子显微镜（SEM）于一体的先进微纳加工与表征平台。系统采用氙气等离子离子源，在保持高空间分辨能力的同时显著提升材料去除效率，适用于大尺寸、厚层及高硬度材料的快速加工与精密分析。
SOLARIS X 是一个强大的 FIB-SEM 综合分析平台 ，专门设计来应对半导体和材料表征中最具挑战性的物理失效分析应用 ，具有极高的分析、加工精度和加工效率。
SOLARIS X 采用的新一代 “Triglav™” 型 SEM 镜筒 ，配置了新开发的宽能谱系统，
具有优异的成像及探测性能；另一方面 ，新的 iF IB™ 气体离子源进一步的扩展了 FIB 应用范围 ，提升了大体积样品截面加工和 3D 微晶分析的能力 ，并且极大地缩短了加工时间 ，推进了工作效率。
Xe 等离子与 Ga 离子相比 ，有更大的质量量和原子半径 ，离子速度是传统 Ga 离子源的50 倍以上 ，尤其适合长时间和大体积的铣削任务。Xe 等离子不易引入表面污染 ，不形成金属间化合物 ，不改变加工区域化学性质的优势。
基本参数配置：
SEM 分辨率 ：0.6 nm @ 15 kV
FIB 分辨率： <12 nm @ 30 keV
专利的电子镜与柱准直功能 ，帮助用户获得更好的宽范围成像性能Xe 等离子可获得高达数百 nA 的离子束流密度 ，保持稳定高效率多种样品支架 ，在 30 kV 下最大切削范围超过 1 mm
自适应束流优化功能 ，有利于更好的进行 EDS、WDS 和 EBSD 等分析
二、功能特点
1. 氙气等离子 FIB：微安级束流，高去除速率，低污染。
2. 高分辨率 FE-SEM：纳米级成像，多成像模式。
3. 原位加工与成像：FIB-SEM 一体化。
4. 高通量与大样品支持：适合工业与科研。
5. 三维重构与自动化切片。
三、应用场景与领域
1.半导体与集成电路失效分析
2.先进封装与 TSV 结构解析
3.新材料与纳米器件研究
4.能源材料与电池结构分析
5.冶金、地质与工业材料检测
四、技术优势
1.超高通量加工能力
2.低离子注入污染
3.分辨率与效率兼顾
4.长时间稳定运行
5.高拓展性分析平台
五、典型型号与应用案例
类型 | 定位 | 特点 | 应用案例 |
高分辨率科研型 | 以超高空间分辨率与低损伤加工为核心，面向前沿科研与精细结构分析。 | · 氙气等离子 FIB（低—中束流精细调节） · 高分辨率场发射扫描电子显微镜 · 高稳定样品台，支持精确定位 · 适合纳米尺度精细切割与截面制备 | · 二维材料（石墨烯、TMDs）截面结构分析 · 纳米线、纳米孔阵列加工与形貌观察 · 薄膜/多层膜界面精细结构研究 · 高分辨率 TEM 样品制备（Lamella 制备） |
超高通量分析型 | 以高束流、高去除速率为核心，适用于厚样品、大体积结构与工业级失效分析。 | · 微安级高束流氙气等离子离子源 · 大视场、高景深 SEM 成像能力 · 强化热稳定与长时间连续运行设计 · 支持快速大面积铣削与深切割 | · 先进封装（2.5D / 3D IC、TSV）整体截面分析 · 功率半导体器件（IGBT、MOSFET）厚层结构剖析 · 多层金属互连与介质层失效定位 · 工业产品批量失效分析与质量评估 |
三维重构专用型 | 面向三维结构定量分析与体结构重构，强调自动化与数据一致性 | · 氙气等离子 FIB 连续自动切片 · SEM 原位逐层成像 · 高精度切片厚度控制 · 支持三维数据重构与体分析 | · 锂电池电极孔隙结构三维重构 · 多孔材料与泡沫金属内部网络分析 · 复合材料增强相空间分布研究 · 生物材料或仿生结构三维形貌解析 |
工业稳定运行型 | 以可靠性、重复性和工业环境适应性为核心，适合生产与质量控制场景 | · 高寿命氙气等离子源 · 工业级稳定电源与控制系统 · 快速换样与高通量流程设计 · 适合长时间、高频率使用 | · 半导体制造过程质量抽检 · 先进材料生产过程结构一致性评估 · 工业涂层厚度与界面结合分析 · 失效分析实验室长期运行平台 |
工作原理图
数据图
