UV Litho-ABN Pro+无掩膜光刻机

一、产品概述

         UV Litho-ABN Pro+无掩膜光刻机（Maskless Lithography System）是一种基于数字化光场调制技术的微纳加工设备，通过DMD（数字微镜阵列）或SLM（空间光调制器）直接生成曝光图形，无需实体掩膜版即可将设计图形实时投射至涂覆光刻胶的基片表面，实现快速、灵活的微纳结构制备。

该设备特别适用于科研机构、高校实验室以及中试验证场景，可显著降低掩膜制作成本，缩短工艺迭代周期，是新型微纳制造与原型开发的重要工具。

二、功能特点

1. 无需掩膜版曝光：采用数字直写方式，设计图形修改后可即时曝光；

2. 高灵活性图形设计：支持 CAD / GDS 文件导入及在线编辑；

3. 高精度运动与对准系统：支持 X / Y / θ 精密调节，满足多层对准需求；

4. 多波长曝光光源：支持 365 nm、405 nm 等紫外波段；

5. 多尺寸基片兼容：支持 2–6 英寸晶圆、玻璃及柔性衬底；

6. 曝光剂量精确控制：支持灰度曝光与能量调节；

7. 软件高度集成：支持工艺参数存储、调用与流程化操作；

8. 完善的安全防护设计：具备光源防护、互锁与报警机制。

三、应用场景与领域

1. 微纳器件原型设计与快速验证；

2. 二维材料器件及电极结构制备；

3. MEMS 结构快速迭代开发；

4. 微流控芯片原型制作；

5. 光学微结构与衍射器件研究；

6. 教学实验与科研工艺探索。

四、技术优势

1. 采用数字化直写曝光方式，无需制作传统光刻掩膜版，避免了掩膜设计、加工及修改所产生的高额费用，尤其适合研发阶段频繁迭代的微纳结构设计；

2. 图形设计与曝光过程高度一体化，设计文件可直接用于曝光执行，减少中间环节，显著压缩从方案设计到样品制备的整体周期；

3. 可灵活实现任意形状、非周期及渐变结构的图形曝光，突破传统掩膜光刻在图形复杂度和设计自由度方面的限制，满足新型器件和创新结构的加工需求；

4. 系统具备高精度对准与位置控制能力，支持多层图形的精准叠加曝光，重复性稳定，适用于多工艺步骤的微纳器件制备流程；

5. 曝光系统、运动平台及控制软件高度集成，操作界面友好，流程清晰，降低使用门槛，便于科研人员和工程人员快速上手；

6. 在无需掩膜、工艺灵活和调整快速等优势下，无掩膜光刻机特别适合小批量、多品种及定制化微纳加工任务，在科研与中试阶段具有显著应用价值。
 

五、技术参数

1、工作波长：405nm

2、激光功率

最大功率：300mW 

3、分辨率

最小分辨率：0.3μm 

4、对准精度

正面：0.1μm（1mm区域内），侧面：1μm（2.5μm）

5、扫描速度：3-150 mm²/min 

6、转盘尺寸：最大8英寸

产品特点
灵活设计：无需掩膜，快速更改图案，适合原型和定制。

高分辨率：实现微米至纳米级精细光刻。

高效流程：减少制程时间，提升生产效率。

多材料兼容：适用于半导体、聚合物等多种材料。

低成本：无掩膜制作成本，适合研发和小批量生产。

广泛应用：用于微电子、MEMS、光学器件等制造领域。

六、典型案例和应用实例

注：以上配置可根据用户实验需求进行定制调整。

外观图