一、产品概述
艾博纳 ELA 微纳材料切割转移系统是一套面向二维材料与微纳器件制备的激光精密切割 + 高精度转移一体化平台。系统基于能量可控的微区激光剥蚀（ELA，Energy-controlled Laser Ablation）技术，实现对石墨烯、TMDs（MoS₂、WS₂、WSe₂ 等）、黑磷、h-BN 及薄膜微纳结构的非接触式高精度切割，并在同一平台内完成显微对准、拾取与精准转移。设备深度融合激光加工、显微成像与多自由度精密运动控制，兼顾科研探索灵活性与工程化稳定性，适用于二维材料器件构筑、异质结构拼接、微纳加工与功能材料转移等前沿研究与工艺开发场景。
二、系统特点与技术优势
1. 激光切割与转移一体化设计
激光微区切割、样品拾取与转移在同一平台完成；避免多次搬运引入的污染与对准误差；支持“切—取—放”连续操作流程
2. 能量可控的微纳级激光加工
激光能量、脉宽与重复频率精确可调；实现最小热影响区，降低材料损伤；适用于超薄、脆性及异质界面材料
3. 高分辨显微成像与精准对准
集成长工作距离显微系统；支持实时观察切割边缘与转移过程；微区对准精度满足微纳器件构筑需求
4. 多自由度高精度转移平台
多轴精密位移与角度调节；支持微尺度异质结构拼接与旋转对准；兼容多种衬底与样品尺寸
5. 模块化、可拓展架构
激光模块、显微模块、转移模块独立可升级；可拓展加热、真空吸附、惰性气氛等功能；适配科研到小试工艺的不同需求
三、典型应用方向
二维材料微区裁剪与图形化；van der Waals 异质结构精准拼接；微纳器件沟道/电极区域制备；柔性电子与光电器件样品构筑；新型低维材料工艺探索与验证
四、技术参数
1.激光切割系统
激光类型：固体/半导体激光（可选）；工作波长：355 nm / 532 nm / 1064 nm（可选）；输出功率：≤5 W（连续或脉冲可选）；脉冲宽度：皮秒 / 纳秒级（可选）；激光能量调节精度：≤1%；最小切割线宽：≤1 μm（与材料相关）
2. 显微成像系统
显微方式：明场 / 暗场（可选）；物镜类型：长工作距离物镜；放大倍率：50× – 500×（可扩展）；成像分辨率：亚微米级；观察方式：实时同轴或侧向观察
3. 转移与运动平台
位移轴：X / Y / Z 三轴精密位移；行程范围：X / Y：≥25 mm；Z：≥10 mm；最小步进分辨率：≤0.1 μm；角度调节：θ 旋转 ±180°（可选）；重复定位精度：≤0.5 μm
4. 样品与衬底支持
样品尺寸：毫米级至英寸级；衬底类型：Si / SiO₂ / 蓝宝石 / 玻璃 / PI 等；固定方式：真空吸附 / 机械夹持（可选）
控制与软件
控制方式：PC 软件集中控制
功能集成：激光参数调节
运动平台联动
显微实时显示
操作模式：手动 / 半自动
数据接口：USB / Ethernet
6. 工作环境
工作温度：18–28 ℃
相对湿度：≤60%
使用环境：实验室 / 洁净室兼容
五、产品定位总结
艾博纳 ELA 微纳材料切割转移系统，定位于“微纳加工 + 精准转移”融合型科研装备，可作为二维材料实验室的核心平台之一，与艾博纳现有的二维材料转移台、探针台、光刻系统、拉曼与显微成像设备形成完整的微纳器件制备与表征解决方案。
工作原理：
