艾博纳 ABNER-UM系列无掩模光刻机是一款基于数字微镜器件(DMD)的紫外直写光刻系统,面向微纳器件研发、二维材料器件制备、MEMS 工艺验证及高校科研教学等应用场景。系统通过计算机直接加载版图数据,将设计图形实时投射至光刻胶表面,实现无需实体掩模、快速迭代、高精度曝光的光刻加工方式,大幅降低工艺成本并缩短研发周期。该设备兼顾高分辨率成像与系统稳定性,采用模块化光路设计与高精度运动平台,支持多种紫外波段与样品尺寸,特别适用于小批量、多方案、频繁修改版图的科研与中试需求。
一、产品核心优势
无掩模直写
无需制作光掩模,版图即改即用,显著降低研发成本与时间
高分辨率紫外成像
采用高数值孔径投影光学系统,实现亚微米级线宽加工能力
高速 DMD 动态曝光
基于数字微镜阵列的灰度/二值曝光控制,支持复杂图形与渐变结构
高精度运动与对准
精密电动载物台,支持多区域拼接曝光与重复定位
开放式工艺兼容性
兼容主流正胶、负胶,适配多种基底材料与器件结构
科研友好型软件
支持 GDSII / DXF / BMP 等版图格式,操作直观,适合实验室环境
二、典型应用领域
二维材料器件(Graphene、MoS₂、WSe₂ 等)
微纳电子与光电子器件
MEMS / 微结构原型验证
微流控芯片
新材料与新工艺教学实验
掩模前期工艺评估与快速验证
三、技术参数(ABNER-UV 标准配置)
1.光刻系统
| 参数项 | 技术指标 |
|---|---|
| 光刻方式 | 紫外无掩模直写(DMD 投影) |
| 光源类型 | 高稳定性 UV LED / UV 激光(可选) |
| 工作波长 | 365 nm(i-line) / 385 nm / 405 nm(可选) |
| 曝光方式 | 二值 / 灰度曝光 |
| 曝光均匀性 | ≥ 90% |
| 光强调节 | 软件可调,支持多级曝光能量控制 |
2. DMD 与成像系统
| 参数项 | 技术指标 |
|---|---|
| DMD 分辨率 | 1920 × 1080 |
| 微镜尺寸 | 7.56 μm |
| 投影缩放倍率 | 1× / 2× / 5× / 10×(可选) |
| 最小特征线宽 | ≤ 1.0 μm(与光刻胶及工艺相关) |
| 成像畸变 | ≤ 1% |
3. 运动与样品平台
| 参数项 | 技术指标 |
|---|---|
| 载物台类型 | 精密电动 XY 平台 |
| 行程范围 | XY:100 mm × 100 mm(可定制) |
| 重复定位精度 | ≤ ±1 μm |
| Z 轴调焦 | 电动 / 手动微调 |
| 样品尺寸 | 芯片 / 2–4 英寸晶圆(可扩展至 6 英寸) |
| 固定方式 | 真空吸附 / 机械夹持 |
4. 对准与拼接
| 参数项 | 技术指标 |
|---|---|
| 对准方式 | 光学显微对准 |
| 对准自由度 | X / Y / θ |
| 拼接曝光 | 支持 |
| 拼接误差 | ≤ ±1 μm(典型值) |
5. 软件与控制系统
| 参数项 | 技术指标 |
|---|---|
| 版图格式 | GDSII / DXF / BMP / PNG |
| 曝光控制 | 区域曝光、灰度控制、阵列曝光 |
| 操作系统 | Windows |
| 控制方式 | 图形化界面(GUI) |
| 数据接口 | USB / Ethernet |
6. 系统与环境要求
| 参数项 | 技术指标 |
|---|---|
| 电源 | AC 220V ±10%,50 Hz |
| 工作环境 | 20–25 ℃,湿度 ≤ 60% |
| 整机尺寸 | 约 1200 × 800 × 1600 mm(参考) |
| 安装环境 | 实验室 / 洁净室 |
工作原理


Company Address:
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Suzhou: 4th Floor, Building D, China-Netherlands Innovation Harbor, No. 588 Xiangrong Road, Beihejing Sub-district, Xiangcheng District, Suzhou City, Jiangsu Province
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