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艾博纳微纳米科技(江苏)有限责任公司

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UM 无掩模版紫外光刻机

UM 无掩模版紫外光刻机

  • Category:Photolithography Exposure Equipment
  • Browse number:
  • QR code:
  • Release time:2026-02-04 10:47:55
  • Product description


艾博纳 ABNER-UM系列无掩模光刻机是一款基于数字微镜器件(DMD)的紫外直写光刻系统,面向微纳器件研发、二维材料器件制备、MEMS 工艺验证及高校科研教学等应用场景。系统通过计算机直接加载版图数据,将设计图形实时投射至光刻胶表面,实现无需实体掩模、快速迭代、高精度曝光的光刻加工方式,大幅降低工艺成本并缩短研发周期。该设备兼顾高分辨率成像与系统稳定性,采用模块化光路设计与高精度运动平台,支持多种紫外波段与样品尺寸,特别适用于小批量、多方案、频繁修改版图的科研与中试需求。


一、产品核心优势


无掩模直写

无需制作光掩模,版图即改即用,显著降低研发成本与时间

高分辨率紫外成像
采用高数值孔径投影光学系统,实现亚微米级线宽加工能力

高速 DMD 动态曝光
基于数字微镜阵列的灰度/二值曝光控制,支持复杂图形与渐变结构

高精度运动与对准
精密电动载物台,支持多区域拼接曝光与重复定位

开放式工艺兼容性
兼容主流正胶、负胶,适配多种基底材料与器件结构

科研友好型软件
支持 GDSII / DXF / BMP 等版图格式,操作直观,适合实验室环境


二、典型应用领域

二维材料器件(Graphene、MoS₂、WSe₂ 等)

微纳电子与光电子器件

MEMS / 微结构原型验证

微流控芯片

新材料与新工艺教学实验

掩模前期工艺评估与快速验证


三、技术参数(ABNER-UV 标准配置)


1.光刻系统


参数项技术指标
光刻方式紫外无掩模直写(DMD 投影)
光源类型高稳定性 UV LED / UV 激光(可选)
工作波长365 nm(i-line) / 385 nm / 405 nm(可选)
曝光方式二值 / 灰度曝光
曝光均匀性≥ 90%
光强调节软件可调,支持多级曝光能量控制


2. DMD 与成像系统


参数项技术指标
DMD 分辨率1920 × 1080
微镜尺寸7.56 μm
投影缩放倍率1× / 2× / 5× / 10×(可选)
最小特征线宽≤ 1.0 μm(与光刻胶及工艺相关)
成像畸变≤ 1%


3. 运动与样品平台


参数项技术指标
载物台类型精密电动 XY 平台
行程范围XY:100 mm × 100 mm(可定制)
重复定位精度≤ ±1 μm
Z 轴调焦电动 / 手动微调
样品尺寸芯片 / 2–4 英寸晶圆(可扩展至 6 英寸)
固定方式真空吸附 / 机械夹持


4. 对准与拼接


参数项技术指标
对准方式光学显微对准
对准自由度X / Y / θ
拼接曝光支持
拼接误差≤ ±1 μm(典型值)


5. 软件与控制系统


参数项技术指标
版图格式GDSII / DXF / BMP / PNG
曝光控制区域曝光、灰度控制、阵列曝光
操作系统Windows
控制方式图形化界面(GUI)
数据接口USB / Ethernet


6. 系统与环境要求


参数项技术指标
电源AC 220V ±10%,50 Hz
工作环境20–25 ℃,湿度 ≤ 60%
整机尺寸约 1200 × 800 × 1600 mm(参考)
安装环境实验室 / 洁净室




工作原理


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