一、产品介绍
艾博纳 UM Pro+ 无掩模版紫外光刻系统 是面向高校科研院所及先进微纳器件研发需求推出的一款高性能直写式光刻设备。系统基于 DMD（数字微镜阵列）动态掩模成像技术，无需传统物理掩膜，即可实现图形的快速生成、修改与曝光，显著降低工艺成本并提升研发效率。UM Pro+ 采用模块化光学与运动控制架构，兼顾高分辨率成像、稳定曝光与工艺灵活性，适用于二维材料器件、MEMS、微纳传感器、光电器件及教学实验等多种应用场景。系统支持多种曝光模式与图形数据接口，可无缝融入现有洁净室或开放实验环境，是真正面向“科研友好型 + 工程可扩展型”的国产无掩模光刻解决方案。
二、产品特点
无掩模直写：基于 DMD 的数字化光刻方式，省去掩膜制作流程，设计—曝光—迭代一体化
高灵活性图形控制：支持实时图形修改、灰度曝光、多区域曝光
高稳定性光学系统：准直均匀照明设计，保证曝光一致性
模块化扩展：支持多波长光源、对准模块、自动化平台扩展
科研与教学兼容：操作友好，支持多级权限管理，适合教学实验与科研并行使用
三、技术参数（典型配置）
1. 光刻方式
光刻类型：无掩模光刻（Maskless Lithography）；成像方式：DMD 数字微镜阵列投影成像；曝光模式：直写曝光 / 区域曝光 / 灰度曝光
2. 光学系统
光源类型：高稳定 UV LED / 可选 UV 激光；可选波长：365 nm（i-line）、385 nm / 405 nm（可定制）；光学结构：准直照明 + 投影缩放成像系统；照明均匀性：≥ 85%
3. 分辨率与曝光性能
最小线宽：≤ 1.0 μm（与光源及物镜配置相关）图形精度：≤ ±0.3 μm曝光时间：毫秒级–秒级可调；灰度级数：≥ 256 级
4. DMD 模块
DMD 分辨率：1920 × 1080（可选更高规格）；微镜尺寸：7.6 μm（典型值）；图形刷新率：≥ 60 Hz
5. 样品与平台
支持基底尺寸：标准：≤ 4 英寸晶圆；可选：6 英寸 / 非规则样品；样品台行程：X / Y：≥ 100 mm × 100 mm、Z：≥ 10 mm、定位精度：≤ 1 μm、重复定位精度：≤ ±0.5 μm
6. 对准与观测（可选）
对准方式：光学显微对准 / 标记点对准；对准精度：≤ ±1 μm；观察系统：工业级 CCD / CMOS 相机
7. 软件与数据接口
控制软件：艾博纳 UM Litho Control Suite；支持文件格式：GDSII / DXF / BMP / PNG；操作系统：Windows；功能支持：图形导入与编辑、曝光参数批量设置、多层工艺流程管理
8. 环境与电气参数
工作环境：
温度：18–26 ℃
湿度：≤ 60% RH
电源要求：AC 220 V ±10%，50 Hz
整机功耗：≤ 1.5 kW
四、典型应用领域
二维材料器件（石墨烯、TMDs、hBN 等）
微纳电子与光电器件
MEMS / 微传感器
微纳结构快速原型制备
高校微纳加工教学实验
五、产品定位总结
艾博纳 UM Pro+ 无掩模光刻系统 以“高性价比国产替代 + 科研级性能”为核心定位，在保持微米级加工能力的同时，显著降低光刻门槛与使用成本，是高校实验室、科研机构及初创研发团队构建微纳加工能力的理想选择。
产品外观图：
