一、产品概述
艾博纳 UD-S 无掩模版紫外光刻机是一套面向科研与小试产线的数字化光刻直写平台，采用**空间光调制器（DMD / SLM）**进行图形投影曝光，省去传统掩膜版制作与对准流程，可实现从版图导入到曝光成像的快速闭环。系统支持多种光刻胶体系与多类衬底材料，适用于微纳结构原型验证、器件工艺探索与多批次参数扫描实验，兼顾分辨率、效率与可扩展性。
二、典型应用
微纳器件原型：微电极阵列、微流控通道、MEMS 结构、传感器图形；材料与工艺研究：光刻胶窗口筛选、曝光剂量矩阵、显影工艺评估；二维材料与微纳加工：电极图形、栅极结构、对准标记、图形化转移辅助结构；教学与开放实验室：低门槛的数字化光刻训练平台
三、核心特点
无需掩膜版：图形数字化直写，降低耗材与迭代成本
快速迭代：支持剂量/焦距/拼接策略等参数矩阵式实验
多样衬底兼容：晶圆、玻璃、蓝宝石、Si/SiO₂、柔性基底等
可扩展对准能力：可选前/背面对准与多层叠加工艺支持
模块化配置：曝光头、平台、对准显微、软件模块可按应用升级
四、技术参数
（1）曝光与成像系统
曝光方式：数字投影直写（DMD/SLM 空间光调制）；光源波段：365 nm / 405 nm（可选 385 nm、i-line 等）；光源类型：高稳定 LED / 半导体激光（按配置）；曝光均匀性：≥ 85%（典型值，视视场与校正方式）；光强调节：软件连续可调 + 硬件安全限幅；聚焦方式：手动精密对焦 / 电动自动对焦（选配）
（2）分辨率与视场（与物镜/投影倍率相关）
最小线宽：1–2 μm（典型）；高配可至 ≤ 1 μm（选配）；对准标记识别：支持十字/方框/阵列等常见 Mark；视场（FOV）：典型 0.5–2 mm（随倍率配置变化）；拼接曝光：支持（软件自动拼接/栅格曝光）
（3）载物与运动平台
兼容衬底：2/4/6 英寸晶圆（可选 8 英寸）、小片样品；平台类型：高精度 XY 电动平台 + Z 对焦台；XY 行程：≥ 100 mm × 100 mm（可定制）；Z 行程：≥ 10 mm（典型）；重复定位精度：≤ ±1 μm（典型，高配可选更高等级）；真空吸附：晶圆真空 Chuck（可选多规格转接盘）；θ 调整：手动/电动 θ（选配，便于对准）
（4） 对准系统（多层曝光能力）
对准方式：显微成像对准 + 软件辅助对准；对准自由度：X / Y / θ；叠加对准精度（Overlay）：≤ 1.5–2 μm（典型）；更高精度为选配方案；背面对准：选配（透射/红外背对准视具体衬底）
（5）软件与数据接口
版图导入：GDSII / DXF / BMP/PNG（按软件模块）；曝光策略：矢量填充/栅格曝光/灰度曝光（选配）；工艺库：支持配方保存、调用与权限管理；运动控制：自动寻标、自动拼接、曝光队列；数据记录：曝光日志、剂量参数、工艺追溯导出；接口：USB / Ethernet；可提供 SDK（选配）
（6） 环境与电源
使用环境：温度 20–26 ℃；湿度 30–70% RH（无凝露）洁净要求：建议 Class 1000–10000（依工艺而定）电源：AC 220 V，50/60 Hz；整机安全：激光/紫外联锁、防误操作、急停、门禁联动（按配置）（7）设备尺寸与交付
外形尺寸：台式/落地式（依配置，支持定制）；交付内容：主机、曝光头、平台、控制工控机、软件、说明书、校准文件；可选附件：旋涂机接口、热板/烘胶台、显影槽、洁净罩、工艺包
工作原理
