UV-Y 无掩模版紫外光刻机

一、产品概述

UV-Y 无掩模版紫外光刻机是面向微纳制造领域的高精度直写光刻设备，采用先进的紫外光无掩膜直写技术，融合高精度运动控制、光学成像与实时工艺监控系统，无需制备掩膜版即可实现微纳级二维 / 三维结构的直接光刻成型。设备兼顾高精度、高灵活性、高兼容性，适配研发阶段的快速设计迭代与小批量中试生产，覆盖微电子、微机电、微流控、生物医疗等多领域的微纳结构制造需求，是实验室与中小批量产线的核心微纳加工设备。该机器具备了无掩模光刻机的诸多优点，桌面型的设计使其便于教学使用。不仅如此，该设备还针对教育场景进行了优化，简化操作流程，让学生更容易上手。通过该设备，学生可更直观地了解光刻技术，掌握先进的光刻加工工艺，提升实践能力，为未来的科研工作打下基础。Y在教育领域的应用，有助于培养更多优秀的科技人才。

二、设备参数规格

三、功能特点

1. 双光源无掩膜直写：365nm/405nm 紫外双光源自由切换，适配不同光敏材料的光刻需求，无需掩膜版，省去掩膜制备与更换成本，大幅缩短工艺周期。

2. 高精度多模式光刻：支持矢量扫描与面阵扫描双模，矢量扫描适配精细微结构，面阵扫描提升大尺寸区域加工效率，最小特征尺寸低至 1μm，满足不同精度等级需求。

3. 视觉自动对准与拼接：高倍 CCD 视觉系统实现自动对准与实时定位，支持大尺寸光刻面积拼接，拼接精度≤±0.8μm，可实现超大幅面微纳结构制造。

4. 实时工艺监控与反馈：光刻过程中实时采集光学图像，在线检测结构成型质量、层间对准精度，支持工艺参数实时调整，避免工艺偏差导致的良率下降。

5. 高深宽比结构加工：优化的紫外光聚焦系统与光刻工艺，可实现高深宽比结构光刻（高宽比≥50:1），满足微通道、微柱阵列、微针等特殊结构的制造需求。

6. 多基板多材料兼容：适配硅、玻璃、石英、柔性聚合物等多种基板，兼容光刻胶、光敏树脂、生物相容性光敏材料、陶瓷光敏浆料等各类紫外光敏材料，适配不同领域工艺要求。

7. 智能化工艺管理：配套专用光刻设计软件，支持图形编辑、工艺参数预设、加工流程保存，可实现工艺参数的标准化与复用，降低操作人员门槛；支持远程监控与操作，提升设备使用便捷性。

8. 紧凑型设计与低损耗：桌面式 / 立式可选，占地面积小，适配实验室与小型产线布局；光源寿命长（≥20000h），耗材仅为光刻材料与清洁耗材，使用成本低。

四、应用场景与领域

微电子与半导体:MEMS 器件（微传感器、微执行器）、射频微器件、半导体封装引线、微电极阵列

微机电系统（MEMS）:微齿轮、微弹簧、微泵、微阀、微悬臂梁等微机械结构

微流控芯片:微通道、液滴生成器、混合器、生物检测芯片、器官芯片的光刻成型与模具制造

生物医疗:微针阵列（透皮给药）、生物传感器芯片、医用植入物微结构、细胞培养微阵列

光学微器件:微透镜阵列、光栅、光波导、微光学超表面结构

新材料与超材料:力学超材料点阵结构、声子晶体、光子晶体、功能梯度材料微结构

精密制造:微型模具、精密连接器微结构、微型传感器部件、航空航天微小型器件

五、技术优势

1. 精度与灵活性双优：最小特征尺寸≤1μm，套刻与定位精度达亚微米级，同时无掩膜直写模式摆脱掩膜版限制，设计方案修改后可立即投入光刻，大幅提升研发迭代效率（较传统掩膜光刻周期缩短 80% 以上）。

2. 高深宽比加工能力突出：通过光学系统优化与光刻工艺调校，实现高宽比≥50:1 的微纳结构加工，且侧壁粗糙度≤Ra10nm，结构成型质量优异，满足微流控、MEMS 等领域的高深宽比需求。

3. 多场景适配性强：双光源、双扫描模式、多基板多材料兼容，可同时满足实验室研发的小批量、多品种需求与产线的标准化、小批量生产需求，一台设备覆盖多阶段工艺。

4. 高良率与工艺稳定性：实时视觉监控 + 工艺参数闭环反馈，有效规避光刻过程中的位置偏差、光强不均、材料涂覆不均等问题，光刻良率≥95%；工艺参数可标准化保存，确保批次间一致性。

5. 拼接扩展与集成性好：支持有效光刻面积拼接扩展，满足大尺寸微结构制造；设备预留标准化接口，可与涂胶机、显影机、烘胶机等微纳加工设备对接，组成自动化光刻工艺线。

6. 低成本与易维护：无掩膜版的工艺设计大幅降低前期投入与后期维护成本；光源为长寿命紫外 LED，无需频繁更换；设备自带故障自检与报警系统，维护简单，降低设备管理成本。

7. 三维结构直写能力：支持分层光刻与三维矢量扫描，可直接实现简单三维微纳结构的光刻成型，无需额外的模具制备或后续加工，简化三维微结构制造工艺。

工作成像图