
近日,国内电子束曝光设备领军企业艾博纳正式推出新一代高精度电子束曝光系统——ABN-EB9000系列。该系统凭借亚纳米级分辨率、高效写入速度及灵活的应用适配能力,为半导体、MEMS、量子器件等领域的先进制造提供关键技术支撑,引发行业广泛关注。
行业痛点驱动技术迭代,电子束曝光成前沿制造核心
当前,全球微电子产业正加速向5nm及以下先进制程、三维纳米结构方向演进,对光刻技术的分辨率、精度和效率提出更高要求。传统光学光刻受限于衍射极限,在超精细图案制备上逐渐面临瓶颈;而电子束曝光因具备无衍射极限、高分辨率的天然优势,成为前沿微电子制造的核心技术之一。不过,传统电子束曝光设备普遍存在写入效率低、成本高、操作复杂等问题,制约其在产业化场景中的大规模应用。
艾博纳技术团队负责人表示:“随着量子芯片、纳米光子器件等前沿领域的快速发展,市场对高精度、高效率电子束曝光设备的需求日益迫切。ABN-EB9000系列正是针对这些痛点研发,旨在打破技术瓶颈,推动产业升级。”
技术突破:亚纳米分辨率+35%效率提升
ABN-EB9000系列采用艾博纳自主研发的新一代冷场发射电子枪,实现1nm级别的图案分辨率,可精准制备纳米级量子点阵列、三维微纳结构等复杂图案。同时,通过优化束流控制算法和高速扫描系统,该设备将写入速度提升35%,较行业同类产品缩短近三分之一的加工周期。
此外,系统集成智能缺陷检测模块,可实时监控图案质量,将良率提升至98%以上;支持8英寸和12英寸晶圆兼容,适配从实验室研发到小批量生产的多样化需求。在量子芯片制造中,ABN-EB9000能实现单电子晶体管的精细加工;在MEMS传感器领域,其高分辨率能力可提升器件灵敏度与稳定性。
市场反馈积极,助力核心设备自主化
据艾博纳透露,ABN-EB9000系列自发布以来,已收到国内多家顶尖科研机构及半导体企业的预订单,部分客户完成设备测试后给予高度评价。行业分析人士指出,该设备的推出不仅解决了传统电子束曝光的效率痛点,也为国内微电子产业提供了更具性价比的高端设备选择,有助于推动核心设备自主化进程。
作为国内电子束曝光领域的先行者,艾博纳深耕该领域十余年,累计申请相关专利超200项,前一代产品在国内科研市场占有率超40%。此次ABN-EB9000的研发,是公司在电子枪技术、束流控制、智能算法等方面技术沉淀的集中体现,标志其技术实力已达国际先进水平。
赋能产业升级,推动自主可控
在全球半导体供应链重构背景下,艾博纳新一代设备的成功研发,对打破国外高端光刻设备垄断、提升国内微电子产业自主可控能力具有重要意义。该设备将助力国内企业和科研机构在先进制程、前沿器件领域实现突破,推动中国微电子产业向更高端、更自主的方向发展。
艾博纳表示,未来将持续加大研发投入,聚焦行业需求优化设备性能,拓展应用场景;同时加强与科研机构、产业伙伴的合作,共同推动电子束曝光技术的创新与应用,为全球微电子产业发展贡献力量。
艾博纳微纳米科技有限公司是一家位于苏州市相城区(Medpark)和江苏省淮安市的高科技企业,成立于2022年8月。公司专注于高端光学科学仪器和医学成像设备的研发、制造与销售。
其产品涵盖显微成像解决方案、真空与镀膜技术以及光学元件,产品范围从基础光学显微镜到先进的纳米级三维成像显微镜。
公司还致力于新一代人工智能驱动的科学设备研发,聚焦于纳米尺度二维材料电子器件(如石墨烯芯片)的应用研究,并结合诺贝尔奖获奖技术进行创新探索。
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