随着全球半导体制程迈向 2nm 时代，对纳米结构观察、缺陷检测与材料界面可视化提出了前所未有的挑战。近日，艾博纳微纳米科技宣布，其自主研发的 高分辨率光电显微成像平台 已成功应用于多个科研机构与先进制造单位的 2nm 工艺研究，实现纳米级关键结构的可视化与定量分析，为国内外先进工艺开发提供强有力的成像支撑。该显微平台搭载自主光路、AI 成像算法、多模态融合系统，在弱信号识别、边缘细节增强及超分辨能力方面表现突出，突破了传统光学显微成像在 100 nm 左右的局限，实现了向 亚 50 nm 级别观察窗口 的跨越。
一、高分辨光电系统助力 2nm 工艺关键结构解析
2nm 工艺节点涉及极薄金属线宽、超窄栅极结构、Fin/GAA 结构侧壁细节与原子层薄膜表面均匀性，传统显微系统难以稳定解析。
艾博纳显微平台通过：
高 NA 物镜（≥1.4）
超分辨重建算法（Super-Resolution Engine）
低噪声大靶面 sCMOS/EMCCD 探测器
多波段复合照明系统
实现了对以下结构的可视化：逻辑器件 2nm 级鳍式沟道边缘纹理；GAA 垂直纳米片侧壁形貌；金属互连线粗糙度（LWR/LER） ；超薄栅介质厚度变化； ALD 薄膜缺陷与界面不均匀性，这些能力让光学显微观察不再停留于“定位”，而是实现了“定量可控”的关键飞跃。
二、AI 加持：关键线宽与界面结构自动识别
2nm 工艺节点下，人工识别线宽、晶界、凹陷结构的方式效率低且误差大。艾博纳平台搭载的 AI-NanoInspect 智能分析引擎 提供：
自动线宽测量（精度 ≤3 nm）
关键尺寸（CD）自动提取
纳米级界面粗糙度统计
缺陷分类（凹陷、凸起、颗粒、边缘突起等）
多区域自动扫描与拼图
有助于科研人员在几分钟内完成传统需要数小时的手工分析过程。
三、多模态成像为 2nm 工艺提供更完整信息链路
艾博纳光电显微平台支持：
明场（BF）：线条/凹陷/刻蚀形貌观察
暗场（DF）：界面散射增强，对金属互连尤为敏感
荧光/PL：材料缺陷态分布、应力影响
光谱成像（Raman/反射）：化学组成与晶格应力
偏振成像：纳米结构各向异性分析，通过多模态联动，可实现结构—材料—应力之间的系统性分析，这对于 2nm 工艺开发至关重要。
四、 服务先进制程研发：从科研验证到工艺优化
艾博纳显微平台已在以下领域获得应用：2nm GAA 结构实验研究观察纳米片堆叠形貌、蚀刻均匀性、界面缺陷分布；EUV 光刻图形化验证对光刻胶、底层硬掩膜、图形边缘粗糙度进行可视化分析；金属互连工艺开发研究 Cu/Co/Ru 等金属线粗糙度与沉积均匀性；新型高-k 材料研究表征超薄介电薄膜缺陷、厚度波动与表面应力。这些研究成果被用于支持国内先进工艺线以及高校科研机构的前沿项目。
五、 行业专家评价：国产成像装备迈向更深层次参与
多位半导体研究专家指出：“艾博纳显微平台能够支撑 2nm 工艺研究，说明国产光电显微系统已经具备参与先进逻辑工艺探索的硬实力。”这一突破不仅提升了国产装备在微纳表征领域的竞争力，也对半导体本土供应链起到关键补位作用。
六、结语：艾博纳正在成为先进工艺研发的重要力量
随着制程不断向 3nm → 2nm → 1.x nm 推进，表征设备的重要性更加凸显。艾博纳微纳米光电显微成像系统凭借 高分辨、多模态、智能化 的技术优势，正在为中国和全球科研团队提供可靠的微纳尺度观察工具，加速先进工艺的验证、优化与突破。未来，艾博纳将持续推动 光学 × AI × 纳米表征 的深度融合，布局更高分辨率、更快扫描速度和更智能分析能力的新一代光电显微平台。
艾博纳微纳米科技有限公司是一家位于苏州市高新区（Medpark）和江苏省淮安市的高科技企业，成立于2022年8月。公司专注于高端光学科学仪器和医学成像设备的研发、制造与销售。
其产品涵盖显微成像解决方案、真空与镀膜技术以及光学元件，产品范围从基础光学显微镜到先进的纳米级三维成像显微镜。
公司还致力于新一代人工智能驱动的科学设备研发，聚焦于纳米尺度二维材料电子器件（如石墨烯芯片）的应用研究，并结合诺贝尔奖获奖技术进行创新探索。
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