艾博纳微纳米科技自主研发的新一代超高分辨率冷场发射扫描电镜（FE-SEM）正式发布。该设备以“原子级成像精度”和“多场景适配能力”为核心突破，在电子源技术、真空系统与智能成像算法等关键领域实现自主创新，标志着我国高端扫描电镜技术跻身国际先进水平，为半导体、二维材料、生物医药等前沿领域提供了全新的微纳米表征解决方案。
核心突破：从“微米级观测”到“原子级视界”
扫描电镜的分辨率极限取决于电子束的聚焦精度，而电子源是决定电子束质量的核心部件。艾博纳此次推出的FE-SEM采用自主专利的单晶钨针尖原子级锐化技术，将针尖曲率半径严格控制在1nm以内，电子束半高宽（FWHM）低至0.5nm——这一参数直接决定了成像的最小细节尺寸。
与传统热发射或肖特基发射电镜相比，冷场发射源具有更高的电子束亮度（达10^9 A/cm²·sr）和更窄的能量分散（<0.3eV），可在低加速电压下保持超高分辨率。该设备的二次电子图像分辨率达到0.8nm@15kV、0.9nm@1kV，背散射电子图像分辨率达1.2nm@20kV，刷新了国内同类型设备的性能纪录。
为支撑极致分辨率，艾博纳还优化了镜筒真空系统：采用全金属陶瓷密封结构，结合离子泵与低温吸附泵的复合真空方案，极限真空度达5×10^-11 mbar。这一真空环境有效抑制了电子束与残余气体分子的散射，使图像信噪比提升30%以上，确保原子级细节清晰可见。
智能适配：从“单一表征”到“多场景覆盖”
除了超高分辨率，该设备还针对不同行业需求进行了定制化设计：
半导体领域：配备低电压高分辨率模式，在1kV加速电压下可观测芯片表面的纳米级缺陷（如针孔、划痕），避免电子束对敏感器件的损伤；同时搭载背散射电子成像（BSE）系统，可清晰识别芯片内部金属互联线的1.5nm级缺陷，助力芯片失效分析效率提升5倍。
二维材料研究：支持原子级台阶观测，在某高校的MoS₂生长实验中，成功捕捉到单层MoS₂边缘的0.8nm原子台阶结构，为二维材料的生长机制研究提供了关键可视化数据。
生物医药领域：采用低温样品台（最低至-196℃），可观测未固定的生物样品（如病毒颗粒、细胞骨架）的超微形貌，分辨率达1.0nm，解决了传统电镜对生物样品的损伤问题。
此外，设备搭载AI辅助缺陷识别算法，能自动标记半导体晶圆上的纳米级颗粒污染，检测准确率达98%，大幅减少人工分析时间。
行业价值：打破垄断，赋能本土创新
此前，超高分辨率FE-SEM市场长期被海外品牌垄断，设备价格高昂且维护成本高。艾博纳此次推出的产品在核心性能上与国际顶级设备持平（如二次电子分辨率0.8nm vs 海外品牌0.7nm），但价格仅为其60%，且提供7×24小时本土技术支持，显著降低了国内企业和科研机构的使用门槛。 “该设备的问世，意味着我国在高端电镜领域实现了从‘跟跑’到‘并跑’的跨越。”艾博纳研发负责人表示，“未来我们将继续投入微纳米表征技术研发，推出更多如透射电镜（TEM）、原子力显微镜（AFM）等高端设备，助力我国在半导体、新材料、生物医药等领域的自主创新。”
应用前景：开启微纳米科技新纪元
目前，该设备已在国内多家高校、科研院所和企业投入使用。在某新能源企业的锂电池研究中，通过该设备观测到电极材料的10nm级孔隙分布，为优化电池性能提供了重要依据；在某生物公司的病毒研究中，成功观测到新冠病毒变异株的表面刺突蛋白结构，分辨率达1.2nm，助力疫苗研发进程。 艾博纳超高分辨率FE-SEM的发布，不仅是我国高端科学仪器领域的重要突破，更是微纳米科技研究的“眼睛”升级。它将帮助科研人员和企业解锁更多原子级的微观秘密，推动我国在前沿科技领域的创新步伐，开启微纳米科技的新纪元。
艾博纳微纳米科技有限公司是一家位于苏州市高新区（Medpark）和江苏省淮安市的高科技企业，成立于2022年8月。公司专注于高端光学科学仪器和医学成像设备的研发、制造与销售。
其产品涵盖显微成像解决方案、真空与镀膜技术以及光学元件，产品范围从基础光学显微镜到先进的纳米级三维成像显微镜。
公司还致力于新一代人工智能驱动的科学设备研发，聚焦于纳米尺度二维材料电子器件（如石墨烯芯片）的应用研究，并结合诺贝尔奖获奖技术进行创新探索。
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